近期，浙江省半导体行业协会正式发布实施《新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法》团体标准，标准号为T/ZJBDT 001-2025。凭借深厚的测试技术积累，思恩技术受邀参与该团体标准的制定。
《新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法》团体标准的核心，是为MRAM（磁随机）、PCRAM（相变）、RRAM（阻变）这三类新型非易失性存储芯片，建立了一套统一的存储性能与可靠性测试的“标尺”。它旨在解决产业中测试方法不一致的问题，为芯片的设计、生产、认证和应用提供关键依据。
此次参与标准制定，标志着思恩技术从芯片测试领域的技术竞争者，逐步成为致力于塑造整个行业技术发展轨道与竞争格局的生态倡导者。
